| 大気圧プラズマ科学に基づく新たなSi材料創成プロセスの開発 |
基盤研究（A） |
安武、大参 |
2010.4 - 2014.3 |
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近赤外光応答四重極共鳴局在表面プラズモンセンシングプレートの開発 |
若手研究（A） |
是津 |
2010.4 - 2012.3 |
本研究では、「大気圧プラズマ化学液相堆積法」PS@Au ナノフィッシュボウルアレイを作製し、アルツハイマー病バイオマーカーをピコmolレベルで検出可能な世界最高感度を有する局在表面プラズモンセンシングプレートの開発に挑戦する |
| 自律型自己組織化液体ナノプロセス・装置の開発 |
NEDO 産業技術研究助成事業（若手研究グラント） |
是津、細井 |
2010.1 - 2013.12 |
本研究で提案する自律型液体ナノプロセスでは、成膜領域における局所的なナノ粒子濃度を検出・自動制御しながら単層膜の成膜をおこなう。自動制御機構が導入された世界初の自己組織化プロセスであり、ナノレベルの自己組織化プロセスの時間･空間的制御を可能とする実用ナノ加工法の開発に挑戦する。 |
| 中性子集光用非球面スーパーミラーデバイスの開発 |
先端計測分析技術・機器開発事業 |
山村、是津 |
2009.10 - 2013.3 |
非接触化学的形状創成法のローカルウエットエッチング法と、イオンビームポリッシュを援用したイオンビームスパッタ成膜によるスーパーミラー形成技術とを融合させ、世界最高性能の中性子二次元集光用非球面スーパーミラーデバイスの製造プロセスを確立する。 |
大気圧プラズマ科学に基づく新たなSi材料創成プロセスの開発 |
CREST |
安武、大参、稲垣 |
2009.9 - 2014.3 |
本研究は、大気圧近傍の高圧力プラズマを用いて、廉価な低純度シリコン（Si）原料から太陽電池用Siを製造するプロセスを開発するものです。プラズマ内部や材料表面で生じる現象を原子レベルで解明し、高度に制御する手法を確立することにより、低純度Si原料からのシラン生成反応を超高速化します。これにより新しい高純度Si材料創成プロセスを開発し、太陽電池用Si材料不足の解消と太陽電池製造コストの大幅な低減に貢献します。 |
大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発 |
挑戦的萌芽研究 |
安武、大参 |
2009.9 - 2014.3 |
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| 自律型液体ナノプロセスによる不揮発性金属ナノ粒子メモリの開発 |
新学術領域研究（公募研究） |
是津 |
2009.8 - 2010.3 |
形状が精密制御された貴金属ナノ粒子単層膜を電荷保持層とする金属ナノドットフローティングメモリを開発し、単結晶性ならではの機能創発について探求し、「創発化学」の学理構築に貢献する。 |
| 大気圧プラズマ液相堆積法によるフッ素ポリマー表面の高密着性極薄銅メタライジング |
兵庫県COE推進事業 |
是津、山村 |
2009.8 - 2010.3 |
大気圧プラズマプロセスとナノレベルの自己組織化とを組みあわせた大気圧プラズマ液相堆積法により、従来の技術では困難であったナノレベルの平滑性と高密着性の問題を同時に解決するとともに、異種金属触媒を一切必要としないエコフレンドリー機能を有するフッ素ポリマー表面の高密着性極薄銅メタライジングプロセスを開発する。 |
| 二重接合自己組織化金属ナノ粒子単電子フラッシュメモリの開発 |
挑戦的萌芽研究 |
是津、細井 |
2009.4 - 2011.3 |
粒子径3nm以下の金属ナノ粒子の非最密集積単層膜を電荷保持層とする不揮発性メモリの試作とメモリ素子特性の評価をおこなう。 |
| 局所選択液相エピタキシャル成長によるGOI構造の作製と電気特性評価 |
基盤研究（B） |
渡部、細井 |
2009.4 - 2011.3 |
次世代の高移動度ゲルマニウムチャネルデバイス作製技術のキープロセスとなる局所ＧＯＩ構造作製技術として液相選択横方向成長技術を提案し、その可能性実証とデバイス試作を行う。絶縁膜で囲まれた微小坩堝内でゲルマニウムを溶融させ、部分的にシリコン基板と接触させたシード領域からの選択液相成長を利用して絶縁膜上に高品質なゲルマニウム層を作製する。 |
| 生体超分子援用フロンティアプロセスによる高機能化ナノシステム |
CREST |
渡部、細井、是津 |
2008.8 - 2013.3 |
生体超分子は、サイズ均一性、自己組織化能力など優れた特性をもつ。DNA情報に基づいて形成されたさまざまな生体超分子に、自己組織化機能を持たせるための分子設計を施し、半導体などの基板上に配列したナノ構造物を形成して機能を発現させる。自己組織化の素過程を徹底的に解明すると同時に、このコンセプトに基づくさまざまな高度情報素子への応用を検討する。 |
| 大気圧プラズマを用いた無歪高能率ナノ精度形状創成プロセスの開発 |
基盤研究（B） |
山村、是津 |
2008.4 - 2012.3 |
大気開放プラズマ加工による、高能率無歪ナノ精度加工システムを開発し、光学素子の加工におけるナノメータレベル形状精度を実現する。 |
| 触媒フリー・無電解銅めっきプロセスの開発とフッ素樹脂表面の素子化 |
挑戦的萌芽研究 |
山村、是津 |
2008.4 - 2010.3 |
大気圧プラズマ液相堆積法とソフトリソグラフィを組み合わせることにより、フッ素ポリマー表面への高密着性極薄銅薄膜の直接描画プロセスを実現する。 |
| 高臨界角スーパーミラーによる多重チャネル中性子集束デバイスの開発 |
基盤研究(C) (一般) |
山村 |
2008.4 - 2011.3 |
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| 次世代半導体デバイス特性劣化の物理モデルに基づくプロセスガイドラインと信頼性評価手法の開発 |
NEDO 産業技術研究助成事業（若手研究グラント） |
細井 |
2007.9 - 2012.8 |
ユビキタス社会実現に向けた半導体集積回路のさらなる高性能化・低消費電力化には、原子スケールで制御されたデバイス製造技術が必須となる。本研究では、そのようなナノデバイスの特性劣化と、原子空孔、格子間原子、ダングリングボンドなどの欠陥生成や原子拡散といった物理現象との相関を調査し、モデル化することによって、新材料の導入や製作プロセスに対するガイドラインを物理モデルから提示することと、製造したデバイスの実用化における最後の障壁となる信頼性を定量的に予測する手法を開発することの2点を目的とする。 |
| 高性能ＳｉＣパワーエレクトロニクス実現に向けた理想ＭＯＳＦＥＴ作製プロセスの創成 |
若手研究（S） |
渡部 |
2007.4 - 2012.3 |
SiC半導体は従来のSiデバイスに比べて優れた特性を有し、次世代パワーデバイス用材料として注目されている。本研究提案では、理想SiC-MOSデバイスの創成を可能にする技術として、(1) 大気圧高密度プラズマを用いたSiC半導体表面の原子レベル平滑化・清浄化技術、(2)超薄SiO2/SiC構造の作製とプラズマ応用による界面電気特性改善法の開発、(3) 高誘電率（High-k）絶縁膜との積層構造SiC-MOSデバイスの作製技術を確立し、(4)高性能SiC-MOSFETを完成させることを目的としている。 |
| 大気圧プラズマを用いた全低温半導体プロセスの開発と応用 |
基盤研究（A） |
安武、大参 |
2007.4 - 2010.3 |
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| 原子制御プロセスによる超薄MOS構造の作製とその伝導特性および界面物性の解析 |
特定領域研究（公募研究） |
渡部、志村 |
2007.4 - 2009.3 |
本研究では、原子制御プロセス技術を駆使して作製した超薄MOSの特性を評価解析し、これらの実験データを量子シミュレーション結果と徹底的に比較検討することで、計算機マテリアルデザインの高精度化に貢献することを目標としている。 |
| Sub-10nm硬X線ビーム形成と顕微鏡システムの構築 |
特別推進研究 |
山内、山村 |
2006.4 - 2011.3 |
「反射X線の位相回復からミラー上での波面位相を知るAt-wavelength計測」、「X線ハーフミラーの形成による位相補償」など、従来にない概念を新たに提案・導入することによってミラー光学素子の高機能化を図り、「世界最小のSub-10nm硬X線ナノビーム」を波動光学的な回折限界において達成する。 |
| ナノチャネル機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成 |
特定領域研究（計画研究） |
渡部 |
2006.4 - 2010.3 |
次世代の高性能ＬＳＩへの適用を目的として、シリコンに代わる高移動度ゲルマニウムデバイスを構成するHigh-k/Geゲートスタック構造の実現を目的としている。プラズマ窒化プロセスを応用した表面処理技術に加え、ゲルマニウム窒化膜及び酸窒化膜を有したゲートスタック、さらにはこれらを界面層としたHigh-k/IL/Geスタックの研究開発を進めている。 |
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